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La production de circuits intégrés ( CI) nécessite de grandes quantités de capital humain et financier et est en constante évolution , mais quelques étapes fondamentales sont importants. Les circuits sont construits sur des plaquettes de silicium pur, si une clé de la production IC est la fabrication initiale de grandes plaques sur lesquelles plusieurs circuits intégrés peuvent être construits . Photolithographie sera utilisé pour construire des centaines de CI sur chaque galette et puis ces circuits sera séparé . Instructions
plaquette de silicium de production
1 produire du silicium pur en cultivant un grand cristal de silicium. Chauffer une grande cuve de silicium à une température élevée d'environ 1400 degrés Celsius dans un creuset , puis tirer lentement sur une seule grande cristal pur , typiquement de 200 mm de diamètre à partir du centre de la cuve rotative. Refroidir ce grand cristal cylindrique , puis soigneusement découper en fines tranches à moins d'un mm d'épaisseur. Surface de la plaquette plat selon des tolérances précises . Traiter chaque galette avec de l'oxyde de silicium, qui agit comme un agent isolant.
2 initié la première étape de photolithographie par projection d'une ultra-violet (UV) de la lumière à travers un masque correspondant au schéma de chaque couche sur la plaquette. Couvrir toute la plaquette avec un revêtement de protection qui est également sensible à la lumière UV . Effectuez cette procédure dans une salle blanche où toute la poussière a été enlevée avec purificateur d'air que celui d'une chambre d'hôpital.
3 Créer la première couche du circuit en faisant la lumière UV à travers le premier masque , placé sur le dessus de la puce revêtue. Le motif du masque permet un peu de lumière à tomber sur la puce, le dégrader seulement dans les domaines évoqués par le masque. Développer la puce , ce qui supprime les zones revêtues dégradées et laisse un motif sur la puce.
4 graver la puce avec des produits chimiques . Dans ce processus, la couche d'oxyde de silicium isolant est retiré où le motif du masque désigné , laissant exposée silicium pur dans un modèle de type plan .
5 Treat la couche de silicium pur exposé via un processus appelé «dopage» qui ajoute des quantités infimes d'éléments tels que le phosphore et le bore, le silicium qui permet d'être utilisé comme un agent de commutation.
6 Répétez les étapes 2 à 5 de cette section que nécessaire pour compléter le processus de stratification de circuit . Des couches supplémentaires de l'oxyde de silicium , la réalisation et matériau isolant doivent être ajoutés au besoin.
Ajouter de fils et d'emballage
7 Ajouter fils de connexion à la puce. Déposer un métal conducteur tel que le cuivre de manière uniforme sur la puce.
8 Put une couche de résine photosensible sensible aux UV sur la puce , recouvrant la couche de métal . Puis placer un masque à motif après que le circuit de fil désirée sur la puce et la puce irradier avec de la lumière UV . Retirer les domaines de la résine photosensible ne sont pas protégés des UV par le masque.
9 Retirer le métal non protégé par résine photosensible par un autre tour de gravure . Les fils sont maintenant formés. Plusieurs couches de fils peuvent être ajoutés si nécessaire en répétant le processus .
10 test des puces individuelles sur la tranche , puis les séparer avec une scie précis. Ajouter un carter de protection pour chaque puce , et de tester chaque puce à nouveau pour la qualité.
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